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我们为全球各个行业提供 Diodes DMP3030SN-7 现货供应及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

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    2026-10-29
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产品详情

DMP3030SN-7 零件图片(仅供参考) DMP3030SN-7 规格参数 还在为负载开关或电源路径管理寻找一颗高效、小巧的“心脏”吗? DMP3030SN-7 正是您理想的解决方案。这颗P沟道MOSFET能在30V电压下稳健控制700mA电流,其低至250毫欧的导通电阻让功率损耗大幅降低,直接为您带来更长的设备运行时间和更低的温升。 它采用微型的SC-59-3封装,能轻松融入空间受限的便携式设计,从智能手机附件到物联网传感器都游刃有余。宽广的-65°C至150°C工作温度范围,确保您的产品在任何环境下都表现如一。选择DMP3030SN-7,就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具市场竞争力。 型号:DMP3030SN-7 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技) 封装:SC-59-3 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET 描述:MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 系列:- 包装:卷带(TR) 产品状态:在售 FET 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 毫欧 @ 400mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):- Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):160 pF @ 10 V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 等级:- 资质:- 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:SC-59-3 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DMP3030SN-7 ,Diodes产品一站式供应商。 DMP3030SN-7 基本参数: 电子零件型号: DMP3030SN-7 原始制造厂商:Diodes 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET 点击此处查询DMP3030SN-7的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货,满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求! Diodes被热门搜索和购买的相关器件型号 ZXMN2A14FTA 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET PI74VCX16240AE 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 AP9214LA-AF-HSBR-7 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电池管理 FL2400044 晶体,振荡器,谐振器 > 晶体 PI3PCIE3412ZHE 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关 - 特殊用途 2N7002W-7 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET DMP68D1L-7 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET SDM2U40CSP-7B 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管 AP7375Q-18Y-13 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性

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